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    UPA2791GR-E2-AT的图片

    UPA2791GR-E2-AT

    Renesas图标
    场效应管阵列
    制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）
    功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOIC
    原厂封装：8-PSOP
    优势价格，UPA2791GR-E2-AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    UPA2791GR-E2-AT的技术资料下载
    电话询问价格
    UPA2791GR-E2-AT的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号：UPA2791GR-E2-AT
  • 制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOIC
  • 系列：-
  • FET 类型：N 和 P 沟道
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
  • 瑞萨原厂器件封装：8-PSOP
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  • UPA2739T1A-E2-AY
    单
    UPA2739T1A-E2-AY
  • UPA2757GR-E2-AT
    场
    UPA2757GR-E2-AT
  • R5F1016AASP#V0
    微控制器
    R5F1016AASP#V0
  • R1LP0408CSP-5SI#S0
    存储器芯片
    R1LP0408CSP-5SI#S0
  • DF71251AD50NPV
    微控制器
    DF71251AD50NPV
  • R5F21322MNSP#V0
    微控制器
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