UPA2732UT1A-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：UPA2732UT1A-E1-AY制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）描述：MOSFET LV 8HVSON系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：133nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3280pF @ 10V功率 - 最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN 裸露焊盘瑞萨原厂器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）想获取UPA2732UT1A-E1-AY的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
