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RJP60V0DPM-00#T1
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RJP60V0DPM-00#T1技术资料
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RJP60V0DPM-00#T1
单路IGBT
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
原厂封装：
TO-3PFM
优势价格，RJP60V0DPM-00#T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJP60V0DPM-00#T1的技术资料下载
RJP60V0DPM-00#T1的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：RJP60V0DPM-00#T1
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
系列：-
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：45A
Current - Collector Pulsed (Icm)：-
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，22A
功率 - 最大值：40W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：75nC
25°C 时 Td（开/关）值：45ns/100ns
Test Condition：300V, 22A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-3PFM，SC-93-3
安装类型：通孔
瑞萨原厂器件封装：TO-3PFM
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