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    RJP6085DPN-00#T2

    Renesas图标
    单路IGBT
    制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）
    功能简述：IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
    原厂封装：TO-220AB
    优势价格，RJP6085DPN-00#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    RJP6085DPN-00#T2的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号：RJP6085DPN-00#T2
  • 制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
  • 描述：IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：-
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.5V @ 15V，40A
  • 功率 - 最大值：178.5W
  • Switching Energy：-
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：-
  • 25°C 时 Td（开/关）值：-
  • Test Condition：-
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装：TO-220-3
  • 安装类型：通孔
  • 瑞萨原厂器件封装：TO-220AB
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