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RJK60S8DPK-M0#T0
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RJK60S8DPK-M0#T0技术资料
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RJK60S8DPK-M0#T0
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
原厂封装：
TO-3PSG
优势价格，RJK60S8DPK-M0#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJK60S8DPK-M0#T0的技术资料下载
RJK60S8DPK-M0#T0的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：RJK60S8DPK-M0#T0
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：超级结
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：56 毫欧 @ 27.5A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：82nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5300pF @ 25V
功率 - 最大值：416.6W
安装类型：通孔
封装：TO-3PSG
瑞萨原厂器件封装：TO-3PSG
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