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RJK6032DPH-E0#T2
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RJK6032DPH-E0#T2技术资料
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RJK6032DPH-E0#T2
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
原厂封装：
TO-251
优势价格，RJK6032DPH-E0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJK6032DPH-E0#T2的技术资料下载
RJK6032DPH-E0#T2的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：RJK6032DPH-E0#T2
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：MOSFET N-CH 600V 3A TO251
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：285pF @ 25V
功率 - 最大值：40.3W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
瑞萨原厂器件封装：TO-251
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