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RJK6026DPE-00#J3
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RJK6026DPE-00#J3技术资料
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RJK6026DPE-00#J3
单端场效应管
制造厂商:
瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
原厂封装:
4-LDPAK
优势价格,RJK6026DPE-00#J3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJK6026DPE-00#J3的技术资料下载
RJK6026DPE-00#J3的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号:RJK6026DPE-00#J3
制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
描述:MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):440pF @ 25V
功率 - 最大值:62.5W
安装类型:表面贴装
封装:SC-83
瑞萨原厂器件封装:4-LDPAK
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