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RJK6018DPM-00#T1
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RJK6018DPM-00#T1技术资料
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RJK6018DPM-00#T1
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
原厂封装：
TO-3PFM
优势价格，RJK6018DPM-00#T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJK6018DPM-00#T1的技术资料下载
RJK6018DPM-00#T1的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：RJK6018DPM-00#T1
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：235 毫欧 @ 15A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4100pF @ 25V
功率 - 最大值：60W
安装类型：通孔
封装：TO-3PFM，SC-93-3
瑞萨原厂器件封装：TO-3PFM
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