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RJK6018DPK-00#T0
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RJK6018DPK-00#T0技术资料
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RJK6018DPK-00#T0
单端场效应管
制造厂商:
瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
原厂封装:
TO-3P
优势价格,RJK6018DPK-00#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJK6018DPK-00#T0的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号:RJK6018DPK-00#T0
制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):235 毫欧 @ 15A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4100pF @ 25V
功率 - 最大值:200W
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
瑞萨原厂器件封装:TO-3P
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