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RJK6014DPK-00#T0

Renesas图标
FET - 单
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
原厂封装:*
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RJK6014DPK-00#T0的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号: RJK6014DPK-00#T0
  • 制造厂家名称: Renesas Electronics America
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 16A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 575 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 45nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 150W
  • 安装类型: *
  • 封装: *
  • 瑞萨原厂器件封装: *
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