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    RJK6006DPD-00#J2

    Renesas图标
    FET - 单
    制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）
    功能简述：MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
    原厂封装：TO-252-3，DPak
    优势价格，RJK6006DPD-00#J2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    RJK6006DPD-00#J2的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号: RJK6006DPD-00#J2
  • 制造厂家名称: Renesas Electronics America
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 19nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 600pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 77.6W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 瑞萨原厂器件封装: MP-3A
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