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RJK03E0DNS-00#J5
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RJK03E0DNS-00#J5技术资料
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RJK03E0DNS-00#J5
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HWSON
原厂封装：
8-HWSON
优势价格，RJK03E0DNS-00#J5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJK03E0DNS-00#J5的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：RJK03E0DNS-00#J5
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-HWSON
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3050pF @ 10V
功率 - 最大值：20W
安装类型：表面贴装
封装：8-WDFN 裸露焊盘
瑞萨原厂器件封装：8-HWSON（3.3x3.3）
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