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RJK0304DPB-00#J0
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RJK0304DPB-00#J0技术资料
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RJK0304DPB-00#J0
FET - 单
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 35A 5-LFPAK
原厂封装：
SC-100，SOT-669
优势价格，RJK0304DPB-00#J0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJK0304DPB-00#J0的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: RJK0304DPB-00#J0
制造厂家名称: Renesas Electronics America
功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 35A 5-LFPAK
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 35A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.8 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2500pF @ 10V
功率 - 最大值: 50W
安装类型: 表面贴装
封装: SC-100，SOT-669
瑞萨原厂器件封装: LFPAK
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