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RJK0301DPB-02#J0
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RJK0301DPB-02#J0技术资料
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RJK0301DPB-02#J0
FET - 单
制造厂商:
瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
原厂封装:
SC-100,SOT-669
优势价格,RJK0301DPB-02#J0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJK0301DPB-02#J0的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: RJK0301DPB-02#J0
制造厂家名称: Renesas Electronics America
功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 60A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 32nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5000pF @ 10V
功率 - 最大值: 65W
安装类型: 表面贴装
封装: SC-100,SOT-669
瑞萨原厂器件封装: 5-LFPAK
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