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RJK0222DNS-00#J5

Renesas图标
场效应管阵列
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
原厂封装:8-DFN
优势价格,RJK0222DNS-00#J5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJK0222DNS-00#J5的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号:RJK0222DNS-00#J5
  • 制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
  • 系列:-
  • FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源极电压 (Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14A,16A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.2 毫欧 @ 7A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):810pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:8W, 10W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装:8-WDFN 裸露焊盘
  • 瑞萨原厂器件封装:8-DFN(5x6)
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