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RJH60M3DPE-00#J3
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RJH60M3DPE-00#J3技术资料
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RJH60M3DPE-00#J3
单路IGBT
制造厂商:
瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:
IGBT 600V 35A 113W LDPAK
原厂封装:
4-LDPAK
优势价格,RJH60M3DPE-00#J3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJH60M3DPE-00#J3的技术资料下载
RJH60M3DPE-00#J3的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号:RJH60M3DPE-00#J3
制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
描述:IGBT 600V 35A 113W LDPAK
系列:-
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A
Current - Collector Pulsed (Icm):-
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.3V @ 15V,17A
功率 - 最大值:113W
Switching Energy:290μJ (开), 290μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:60nC
25°C 时 Td(开/关)值:38ns/90ns
Test Condition:300V, 17A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):90ns
封装:SC-83
安装类型:表面贴装
瑞萨原厂器件封装:4-LDPAK
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