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RJH60F6BDPQ-A0#T0

Renesas图标
单路IGBT
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
原厂封装:TO-247A
优势价格,RJH60F6BDPQ-A0#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJH60F6BDPQ-A0#T0的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号:RJH60F6BDPQ-A0#T0
  • 制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
  • 描述:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):85A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):-
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.75V @ 15V,45A
  • 功率 - 最大值:297.6W
  • Switching Energy:-
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:-
  • 25°C 时 Td(开/关)值:58ns/131ns
  • Test Condition:400V,30A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):25ns
  • 封装:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • 瑞萨原厂器件封装:TO-247A
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