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RJH60D5DPK-00#T0
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RJH60D5DPK-00#T0技术资料
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RJH60D5DPK-00#T0
单路IGBT
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
IGBT 600V 75A 200W TO3P
原厂封装：
TO-3P
优势价格，RJH60D5DPK-00#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJH60D5DPK-00#T0的技术资料下载
RJH60D5DPK-00#T0的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：RJH60D5DPK-00#T0
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：IGBT 600V 75A 200W TO3P
系列：-
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75A
Current - Collector Pulsed (Icm)：-
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 15V，37A
功率 - 最大值：200W
Switching Energy：650μJ （开）， 400μJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：78nC
25°C 时 Td（开/关）值：50ns/135ns
Test Condition：300V, 37A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：100ns
封装：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
瑞萨原厂器件封装：TO-3P
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