RJH60D1DPP-E0#T2的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: RJH60D1DPP-E0#T2制造厂家名称: Renesas Electronics America功能总体简述: IGBT 600V 10A系列: -IGBT 类型: 沟道电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 20A脉冲电流 - 集电极 (Icm): -不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，10A功率 - 最大值: 30W开关能量: 100μJ（开），130μJ（关）输入类型: 标准栅极电荷: 13nC25°C 时 Td（开/关）值: 30ns/42ns测试条件: 300V，10A，5 欧姆，15V反向恢复时间（trr）: 70ns封装: *安装类型: *瑞萨原厂器件封装: *想获取RJH60D1DPP-E0#T2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
