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RJH60A83RDPD-E0#J2
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RJH60A83RDPD-E0#J2技术资料
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RJH60A83RDPD-E0#J2
单路IGBT
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
IGBT 600V 20A 51W TO-252
原厂封装：
TO-252
优势价格，RJH60A83RDPD-E0#J2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJH60A83RDPD-E0#J2的技术资料下载
RJH60A83RDPD-E0#J2的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：RJH60A83RDPD-E0#J2
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：IGBT 600V 20A 51W TO-252
系列：-
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A
Current - Collector Pulsed (Icm)：-
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.6V @ 15V，10A
功率 - 最大值：51W
Switching Energy：230μJ （开）， 160μJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：19.7nC
25°C 时 Td（开/关）值：31ns/54ns
Test Condition：300V, 10A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：130ns
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
瑞萨原厂器件封装：TO-252
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