NP90N04VUG-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：NP90N04VUG-E1-AY制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH TO-252系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：90A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 45A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：135nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7500pF @ 25V功率 - 最大值：1.2W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63瑞萨原厂器件封装：TO-252想获取NP90N04VUG-E1-AY的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
