NP82N04MLG-S18-AY的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：NP82N04MLG-S18-AY制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH TO-220系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：82A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 41A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9000pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安装类型：通孔封装：TO-220-3瑞萨原厂器件封装：TO-220-3想获取NP82N04MLG-S18-AY的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
