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NP160N04TDG-E1-AY
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NP160N04TDG-E1-AY价格
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NP160N04TDG-E1-AY技术资料
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NP160N04TDG-E1-AY
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
原厂封装：
TO-263-7
优势价格，NP160N04TDG-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NP160N04TDG-E1-AY的技术资料下载
NP160N04TDG-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：NP160N04TDG-E1-AY
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：160A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15750pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）
瑞萨原厂器件封装：TO-263-7
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