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NE85630-A的图片

NE85630-A

Renesas图标
RF 晶体管(BJT)
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323
原厂封装:SC-70
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NE85630-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号: NE85630-A
  • 制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
  • 功能总体简述: RF TRANSISTOR NPN SOT-323
  • 系列: -
  • 晶体管类型: NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
  • 频率 - 跃迁: 4.5GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.2dB @ 1GHz
  • 增益: 9dB
  • 功率 - 最大值: 150mW
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 40 @ 7mA,3V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装: SC-70,SOT-323
  • 瑞萨原厂器件封装: SOT-323
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    NE85633-R25-A
  • 微控制器
    R5F563NACDFP#V0
  • 微控制器
    R5S72641W144FP#U0
  • 存储器芯片
    R1LV5256ESP-5SR#B0
  • 微控制器
    R5F52106BDFP#V0
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