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NE85619-T1
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NE85619-T1技术资料
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NE85619-T1
RF 晶体管（BJT）
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
TRANS NPN 1GHZ SMD
原厂封装：
SOT-523
优势价格，NE85619-T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE85619-T1的技术资料下载
NE85619-T1的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: NE85619-T1
制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）
功能总体简述: TRANS NPN 1GHZ SMD
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V
频率 - 跃迁: 4.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益: 6.5dB ~ 12.5dB
功率 - 最大值: 100mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 20mA，10V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
安装类型: 表面贴装
封装: SOT-523
瑞萨原厂器件封装: SOT-523
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