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NE6510179A-A
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NE6510179A-A技术资料
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NE6510179A-A
RF FET
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A
原厂封装：
4-SMD
优势价格，NE6510179A-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE6510179A-A的技术资料下载
NE6510179A-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: NE6510179A-A
制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）
功能总体简述: HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A
系列: -
晶体管类型: HFET
电压 - 集射极击穿（最大值）: -
频率: 1.9GHz
增益: 10dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
电压 - 测试: 3.5V
额定电流: 2.8A
功率 - 最大值: -
噪声系数: -
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
电流 - 测试: 200mA
功率 - 输出: 32.5dBm
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
安装类型: -
电压 - 额定: 8V
封装: 4-SMD，扁平引线
瑞萨原厂器件封装:
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