NE3517S03-T1C-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: NE3517S03-T1C-A制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）功能总体简述: DISCRETE RF FET系列: -晶体管类型: HFET电压 - 集射极击穿（最大值）: -频率: 20GHz增益: 13.5dB频率 - 跃迁: -噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -电压 - 测试: 2V额定电流: 15mA功率 - 最大值: -噪声系数: 0.7dB不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -电流 - 测试: 10mA功率 - 输出: -电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -安装类型: -电压 - 额定: 4V封装: 4-SMD，扁平引线瑞萨原厂器件封装: 想获取NE3517S03-T1C-A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
