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    NE3516S02-A的图片

    NE3516S02-A

    Renesas图标
    RF FET
    制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）
    功能简述：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
    原厂封装：4-SMD
    优势价格，NE3516S02-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NE3516S02-A的技术资料下载
    电话询问价格
    NE3516S02-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号: NE3516S02-A
  • 制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）
  • 功能总体简述: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
  • 系列: -
  • 晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
  • 频率: 12GHz
  • 增益: 14dB
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
  • 电压 - 测试: 2V
  • 额定电流: 60mA
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: 0.35dB
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
  • 电流 - 测试: 10mA
  • 功率 - 输出: 165mW
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: 4V
  • 封装: 4-SMD，扁平引线
  • 瑞萨原厂器件封装:
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