NE3514S02-T1C-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: NE3514S02-T1C-A制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)功能总体简述: HJ-FET NCH 10DB S02系列: -晶体管类型: HFET电压 - 集射极击穿(最大值): -频率: 20GHz增益: 10dB频率 - 跃迁: -噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -电压 - 测试: 2V额定电流: 70mA功率 - 最大值: -噪声系数: 0.75dB不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -电流 - 测试: 10mA功率 - 输出: -电流 - 集电极(Ic)(最大值): -安装类型: -电压 - 额定: 4V封装: 4-SMD,扁平引线瑞萨原厂器件封装: 想获取NE3514S02-T1C-A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料