HAT2299WP-EL-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: HAT2299WP-EL-E制造厂家名称: Renesas Electronics America功能总体简述: MOSFET N-CH WPAK系列: -FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 150V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 110 毫欧 @ 7A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 15nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 710pF @ 25V功率 - 最大值: 25W安装类型: *封装: *瑞萨原厂器件封装: *想获取HAT2299WP-EL-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
