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    HAT2168N-EL-E的图片

    HAT2168N-EL-E

    Renesas图标
    单端场效应管
    制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）
    功能简述：MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
    原厂封装：8-LFPAK-iV
    优势价格，HAT2168N-EL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    HAT2168N-EL-E的技术资料下载
    电话询问价格
    HAT2168N-EL-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号：HAT2168N-EL-E
  • 制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1730pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：15W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
  • 瑞萨原厂器件封装：8-LFPAK-iV
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