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HAT2165N
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HAT2165N技术资料
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HAT2165N
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
原厂封装：
8-LFPAK-iV
优势价格，HAT2165N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HAT2165N的技术资料下载
HAT2165N的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：HAT2165N
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.6 毫欧 @ 27.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5180pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
瑞萨原厂器件封装：8-LFPAK-iV
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