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2SK1835-E
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2SK1835-E技术资料
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2SK1835-E
单端场效应管
制造厂商:
瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
原厂封装:
TO-3P
优势价格,2SK1835-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SK1835-E的技术资料下载
2SK1835-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号:2SK1835-E
制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1500V(1.5kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A, 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1700pF @ 10V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
瑞萨原厂器件封装:TO-3P
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