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2SJ162-E
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2SJ162-E技术资料
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2SJ162-E
单端场效应管
制造厂商:
瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
原厂封装:
TO-3P
优势价格,2SJ162-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SJ162-E的技术资料下载
2SJ162-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号:2SJ162-E
制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):160V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 10V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
瑞萨原厂器件封装:TO-3P
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2SJ162
单
R5F21324MDSP#V0
微控制器
R1LV3216RSA-5SR#B0
存储器
R5F1027AANA#W0
微控制器
R5F100MJAFB#V0
微控制器
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